Jakie pamięci DDR5 wybrać? Porównujemy Hynix, Samsung i Micron

Wybierając pamięć DDR5, warto zwrócić uwagę nie tylko na jej pojemność, częstotliwość i opóźnienia, ale również na producenta zastosowanych kości. To właśnie od nich w dużej mierze zależą możliwości dalszej optymalizacji, a także maksymalne taktowanie, jakie można uzyskać podczas podkręcania. Na rynku dominują rozwiązania firm Hynix, Micron i Samsung. Sprawdziliśmy, jak wypadają w bezpośrednim porównaniu na platformie AMD AM5 i czy różnice między nimi mają znaczenie w praktyce.

Do testu wykorzystaliśmy trzy zestawy pamięci: Patriot Viper Xtreme 5 z układami Hynix A-die, G.SKILL Trident Z5 NeoX RGB bazujące na Samsung B-die oraz Patriot Viper Steel 5 Infinite wyposażone w kości Micron Rev. K. Porównanie pozwala sprawdzić zarówno możliwości ręcznego ustawiania timingów, jak i maksymalną częstotliwość pracy poszczególnych układów.

Dlaczego taki test jest istotny? Ceny pamięci DDR5 sprawiają, że coraz trudniej swobodnie wybierać między poszczególnymi zestawami. Nierzadko trzeba zdecydować się na model dostępny w akceptowalnej cenie, nawet jeśli nie wykorzystuje on najlepszych chipów. Warto więc wiedzieć, czy zakup pamięci na kościach Microna lub Samsunga oznacza duży kompromis, czy może różnice są na tyle niewielkie, że nie ma sensu dopłacać do Hynixa.

Hynix A-die, Samsung B-die i Micron Rev. K – możliwości OC

Pierwszym etapem porównania było sprawdzenie, jakie opóźnienia można uzyskać przy częstotliwości 6000 MT/s. To popularne ustawienie na platformie AM5, stanowiące rozsądny punkt wyjścia dla procesorów Ryzen 7000 i 9000.

Najlepiej poradziły sobie układy Hynix A-die, dla których udało się uzyskać timingi CL 28-36-36-64. Samsung B-die osiągnął CL 32-34-34-66, natomiast Micron Rev. K zakończył ten etap z wynikiem CL 36-38-38-74. Różnice są zauważalne, szczególnie w przypadku pierwszego parametru, ale nie należy zapominać o timingach dalszych rzędów. One również mają wpływ na wydajność i wymagają odpowiedniego dostrojenia.

Druga część eksperymentów dotyczyła maksymalnego stabilnego taktowania. W tym przypadku kontroler pamięci pracował w trybie asynchronicznym, co pozwoliło sprawdzić, jak wysoko można podnieść częstotliwość poszczególnych zestawów.

Zdecydowanym zwycięzcą okazał się Patriot Viper Xtreme 5 z kośćmi Hynix A-die. Pamięci osiągnęły stabilne 8200 MT/s przy timingach CL 38-48-48-86 i Command Rate 1T. Drugie miejsce przypadło Patriot Viper Steel 5 Infinite na układach Micron Rev. K, które zatrzymały się na 7600 MT/s. Najsłabiej w tej kategorii wypadł G.SKILL Trident Z5 NeoX RGB z Samsung B-die, osiągając maksymalnie 7000 MT/s.

Warto zwrócić uwagę, że Micron wyprzedził tutaj Samsunga o 600 MT/s. Pokazuje to, że poszczególne generacje kości mają własną charakterystykę i nie zawsze producent kojarzony z lepszymi parametrami będzie wygrywał w każdej kategorii.

Platforma testowa i metodologia

Wszystkie pomiary przeprowadzono na komputerze wyposażonym w procesor AMD Ryzen 9 9900X oraz płytę główną ASRock X870E Taichi. Za wyświetlanie obrazu odpowiadała karta ASUS ROG STRIX GeForce RTX 4080 OC, a system operacyjny stanowił Windows 11 64-bit 23H2.

Testy obejmowały benchmark AIDA64 Engineer oraz osiem gier: Call of Duty: Modern Warfare 3, Dead Island 2, Dragon’s Dogma 2, Dziedzictwo Hogwartu, Far Cry 6, Spider-Man: Miles Morales, Starfield i Wiedźmin 3: Dziki Gon NG.

Pomiary liczby klatek wykonano za pomocą programu Fraps 3.5.99. Każdy scenariusz został powtórzony trzykrotnie, a prezentowane rezultaty stanowią średnią arytmetyczną uzyskanych wyników. Podczas podkręcania pamięci stosowano napięcia od 1,35 do 1,45 V, bez dodatkowego nawiewu. Stabilność sprawdzano przy użyciu TestMem5.

Warto zaznaczyć, że szybka pamięć RAM wpływa przede wszystkim na możliwości procesora, a nie bezpośrednio karty graficznej. Dlatego w procedurze wykorzystano scenariusze obciążające CPU. W przeciwnym razie różnice między zestawami mogłyby zostać zamaskowane przez ograniczenia wydajności GPU.

Wydajność w grach – czy Hynix rzeczywiście wygrywa?

Rezultaty benchmarków pokazują, że przewaga Hynix A-die w zakresie możliwości podkręcania nie przekłada się automatycznie na wyższą wydajność w grach. Po odpowiedniej optymalizacji timingów kości Hynix i Samsung zapewniły praktycznie identyczne osiągi. Średnia różnica wyniosła zaledwie około 0,2% na korzyść pierwszego rozwiązania.

To istotny wniosek dla osób planujących zakup pamięci DDR5. Hynix A-die pozwala uzyskać niższe opóźnienia i wyższe częstotliwości, ale jeżeli komputer ma pracować w popularnym zakresie 6000-6400 MT/s, Samsung B-die nie musi oznaczać żadnego zauważalnego kompromisu wydajnościowego.

Nieco gorzej wypadły układy Micron Rev. K. Ich średnia strata względem Hynixa i Samsunga wyniosła około 3%. Nie jest to wynik pozwalający mówić o dużym problemie, ale pokazuje, że nawet po ręcznej optymalizacji Micron nie potrafi w pełni dorównać konkurentom. Co ciekawe, podczas testów pojawiło się podejrzenie, że ograniczeniem może być również optymalizacja BIOS-u płyty głównej. Nawet wykorzystanie ustawień wzorowanych na profilu EXPO ULL pamięci G.SKILL nie pozwoliło uzyskać rezultatów porównywalnych z Samsung B-die. Możliwe, że znaczenie mają tutaj dodatkowe timingi, których użytkownik nie może bezpośrednio kontrolować.

Charakterystyka poszczególnych układów

Każdy z trzech producentów oferuje nieco inne możliwości. Hynix A-die to zdecydowanie najciekawsza propozycja dla entuzjastów podkręcania. Oprócz bardzo niskiego CL pozwala agresywnie ustawiać takie parametry jak tRFC i tWTRL. Jego największą przewagą pozostaje jednak możliwość osiągania wysokich częstotliwości. Wynik 8200 MT/s pokazuje, że to najlepszy wybór dla osób chcących eksperymentować z konfiguracjami wykraczającymi poza standardowe ustawienia.

Samsung B-die prezentuje się natomiast bardzo dobrze przy bardziej typowych częstotliwościach. Nie pozwala uzyskać tak niskiego CL jak Hynix, ale oferuje korzystne wartości tRCD i tRP. Dobrze znosi również podwyższanie napięcia. Maksymalny stabilny zegar 7000 MT/s jest wyraźnie niższy niż w przypadku pozostałych rywali, jednak nie przeszkadza to Samsungowi osiągać praktycznie identycznej wydajności w grach co Hynix.

Micron Rev. K wypada najbardziej nierówno. Z jednej strony pozwala uzyskać 7600 MT/s, a więc więcej niż Samsung B-die. Z drugiej ma ograniczoną tolerancję na napięcie. Zwiększenie woltażu z 1,35 do 1,45 V powodowało pogorszenie stabilności, co ogranicza możliwości dalszego eksperymentowania. Kości te wymagają również stosunkowo wysokich wartości tRC i tWRWRSCL, ale pozwalają bardzo mocno obniżyć tRDRDWR. Nie są więc pozbawione zalet, choć ich konfiguracja wymaga znajomości specyfiki zastosowanych chipów.

Jakie kości DDR5 warto kupić?

Wyniki testów pozwalają wyciągnąć kilka praktycznych wniosków. Jeżeli najważniejsza jest możliwość mocnego podkręcania i osiągania częstotliwości przekraczających 8000 MT/s, Hynix A-die będzie zdecydowanie najlepszym wyborem. Warto jednak pamiętać, że nie wszystkie układy tej firmy są równie dobre. Starsze M-die mają wyraźnie mniejszy potencjał i pod względem maksymalnego taktowania są bliższe Samsung B-die.

Jeżeli komputer ma służyć przede wszystkim do gier i typowej pracy, Samsung B-die również będzie bardzo dobrym rozwiązaniem. Pomimo niższego maksymalnego zegara jego wydajność po optymalizacji praktycznie nie odbiega od Hynix A-die.

Micron Rev. K nie zasługuje natomiast na automatyczne skreślenie. Średnia strata na poziomie około 3% jest stosunkowo niewielka, a maksymalne taktowanie 7600 MT/s pokazuje, że nowsze układy tego producenta mają całkiem przyzwoity potencjał. Jeżeli zestaw na tych kościach będzie odpowiednio tańszy, może okazać się rozsądnym zakupem.

Ostatecznie wybór zależy więc od zastosowania. Hynix A-die wygrywa w kategorii podkręcania, Samsung B-die zapewnia równie wysoką wydajność w typowych konfiguracjach, a Micron Rev. K stanowi interesującą alternatywę dla osób szukających korzystnej ceny. Nie ma zatem sensu przepłacać wyłącznie za logo producenta kości. Znacznie ważniejsze jest to, jakie parametry oferuje konkretny zestaw i ile trzeba za niego zapłacić.